存储行情到哪里了

本轮“超级周期”由AI驱动，但不同厂商的受益逻辑、弹性空间和股价节奏存在显著差异。投资应遵循“HBM主导 → 全面涨价 → 资本开支”的传导路径，当前正从第一阶段向第二阶段过渡。

一、全球主要厂商矩阵：核心逻辑与空间

二、全球市场的炒作节奏推演

全球市场的炒作逻辑与全球产业链的景气传导完全同步，同样可分为三个阶段：

三、NAND与DRAM厂商的节奏差异

• DRAM厂商（海力士、三星、美光）：

• 启动更早，旗帜更鲜明：自2025年下半年起，HBM的故事已驱动它们持续上涨。

• 第二阶段看点：除了整体利润，市场将特别关注其HBM收入占比和毛利率，以及传统DRAM业务如何平衡HBM产能挤压与涨价收益。

• 三星的独特剧本：市场对其的炒作可能贯穿三个阶段：1）交易HBM追赶预期；2）验证全面盈利复苏；3）观察其作为行业龙头在资本开支和技术上的领导力。

• NAND厂商（凯侠/西部数据）：

• 存在“认知差”带来的补涨机会：市场对AI推理驱动eSSD需求的认知晚于HBM。因此，当DRAM股已大幅上涨后，2026年上半年可能是NAND纯玩家的“价值发现”时间。

• 第二阶段弹性可能更大：由于其业务纯度高，NAND价格大涨对其每股收益（EPS）的提升比例可能更为惊人，容易产生业绩“爆表”的季度报告，驱动股价快速上行。

四、当前全球策略总结

1. 核心配置（压舱石）：SK海力士和三星电子。前者是HBM周期的“矛”，后者是存储行业的“盾”兼潜在反转的“矛”。两者是必选项。

2. 弹性配置（增强收益）：

1. 若相信NAND周期有更大认知差和弹性，增配 凯侠/西部数据。

2. 若看好美国科技股及供应链安全逻辑，增配 美光。

3. 若想博弈利基市场供需错配的极端价格弹性，关注 南亚科技。

3. 前瞻布局：开始关注并研究全球半导体设备巨头（ASML、应用材料、泛林研究、东京电子），为第三阶段的行情做准备。它们的订单数据将是判断周期长度的先行指标。

4. 关键观察点：

1. 财报：重点关注各公司对下一季度DRAM/NAND平均售价（ASP）的指引，以及HBM业务的具体营收和占比。

2. 产能：三星、海力士在2026年中期关于2027年资本开支的初步指引。

   

3. 技术：三星HBM4的客户认证进度；美光下一代HBM和NAND技术的发布。

最终结论：全球存储巨头正共享一个由AI定义的黄金时代，但各自的剧本不同。海力士是享受当下王者，三星是布局预期反转，美光是稳健之选，凯侠是弹性黑马。 投资应基于对周期阶段的理解，在不同时期侧重点不同，但核心龙头（海力士、三星）的配置应贯穿始终。