市场误读英伟达Vera Rubin DRAM用量减半,错杀即是机会,存储依然维持超高景气度!
👉昨天SemiAnalysis提到Vera CPU侧改用96GB替代192GB模块,单机架SOCAMM DRAM总容量从55TB降至28TB。
👉我们认为1)GPU核心HBM4维持单柜20.7TB不变,算力需求基本盘不变;2)SOCAMM是插槽式模块化设计,降低容量或是服务器初期的灵活选配,有利于降低整体拥有成本和将功耗与散热让渡给GPU,是高性价比方案,后续仍具备扩容空间;3)降配可省下预算,转向企业级SSD,NAND产业链反而受益。
存储合约价Q2延续强势上涨态势,Q3涨价有望超预期!
1)一般型DRAM:合约价 26Q1+93%~+98%,预期Q2 +58%~+63%。
2)NAND:合约价 26Q1+85%~+90%,预期Q2 +70%~+75%。
👉预期Q3存储涨价继续超预期,存储公司有望进一步增厚利润,当前估值仍为最低方向,持续看好:目前市场供应仍紧缺,伯恩斯坦上修Q3 DRAM、NAND合约价环比涨幅至+60%。
长鑫加速上市,有望点燃存储板块情绪!
5月27日长鑫科创板IPO获上交所上市委会议通过,公司审核状态变为提交注册,上市临近,有望持续带动存储板块情绪!
建议关注:
1)设计类:兆易创新、国科微、北京君正、普冉股份、联芸科技、澜起科技、聚辰股份、东芯股份、恒烁股份等;
2)存储模组:江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创等;
3)长鑫长存第一大分销商:中电港
4)其他:深科技、长电科技等。
风险提示:需求不及预期等。