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突发!三星3nm工艺存在重大问题,良率0%

日期：2024-02-03 11:59:54 来源：网络整理作者：本站编辑浏览：13 评论：0

来源：国芯网

2月2日消息，据韩媒报道，三星3nm工艺存在重大问题，试产芯片均存在缺陷，良品率 0%！

报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。

据报道，Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构，同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的升级之处在于它将采用 Cortex-X5 和 Cortex-A730 核心，相比 Exynos 2400 的 Cortex-X4 和 Cortex-A720，性能预计将有显著提升。

遗憾的是，Cortex-X5 和 Cortex-X4 的时钟频率差异微乎其微，测试频率在 3.20GHz 和 3.30GHz 之间。具体取决于三星的最终决定，最终可能只会有 100MHz 的微小提升，甚至完全没有区别。

报道指出由于 Exynos 2500 芯片试产失败，三星推迟了大规模生产，目前尚不清楚三星是否有能力及时解决这个良率问题。

据悉，三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。

三星3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。

此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，有助于实现更好的PPA优势。与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少 35%。

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