外延是指在碳化硅衬底上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜。（1）随着器件耐压性能的提高，对应的外延层厚度增加，对厚度和电阻率均匀性以及缺陷密度的控制就变得困难。根据今日半导体数据，一般电压600V左右时，所需外延层厚度约在6微米；电压在1200-1700V时，所需外延层厚度达10-15微米；若电压达到一万伏以上时，可能需要100微米以上的外延层厚度；（2）CVD(化学气相沉积)是外延生长中最常用的方法。国内碳化硅外延技术在高压应用领域受限制，厚度和参杂浓度均匀性是关键的参数。
碳化硅外延市场由Wolfspeed和昭和电工(Showa Denko)双寡头垄断。根据Yole数据，2020年全球碳化硅外延市场中，Wolfspeed占52%，昭和电工占43%，CR2共占95%。国内各厂商加快生产线建设。天域半导体建设碳化硅外延材料研发及产业化项目，预计2025 年竣工并投产，实现营收8.7亿元，2028年全面达产产能100万片/年；瀚天天成二期22年3月竣工验收，23年达产产能为20万/年；三期于22年启动建设，预计达产产能140万片/年。
外延设备是核心，国外厂商垄断。外延设备被行业四大龙头企业德国的Aixtron、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare所垄断，主流SiC高温外延设备交付周期已拉长至1.5-2年左右(TEL因价格和技术IP问题，较少出现在国内市场；Nuflare设备多数交付给Wolfspeed 和II-VI)。根据公司年报及官网，北方华创SiC外延炉已实现量产，截至2022年9月累计订单数超100台；中微公司目前已启动外延生产设备的开发，预计2023年将交付样机至客户端开展生产验证。
苏州鼎旭新能源研究院认为目前碳化硅处于行业快速发展阶段，在功率器件领域替代硅基器件确定性较高，且已经在电网和光伏领域逐步应用，建议关注头部的外延厂商以及外延设备厂商。苏州鼎旭新能源研究院将持续关注相关行业，深入挖掘优质企业，助推先进技术企业快速发展，长期陪伴企业从优秀至卓越。
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