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国产DRAM/NAND价格逼近国际一线水平!

  • 2026-10-12 10:49:37
国产DRAM/NAND价格逼近国际一线水平!
在中国供应链本土化政策推动下,国内存储龙头近年持续上调价格,产品售价已接近、甚至在部分领域超过存储巨头SK海力士以及三星同行。

DRAM提升盈利能力

围绕DRAM,CXMT近期DRAM价格回升显著改善了盈利能力。
2025年第三季度,其平均毛利率升至35%,大幅收窄季度亏损。随着行业在2025年下半年进入新一轮上行周期,明显好于此前预期。

CXMT于2025年11月推出最新DDR5产品,速度最高达8,000Mbps,单颗容量24Gb,量产良率与性能仍在持续提升。DDR5与LPDDR5价格上涨带动平均售价提升,直接支撑收入增长。
受强劲国内需求支撑,国产存储厂商基本已退出过去的低价策略,当前定价与市场水平持平,甚至在部分领域高于韩国对手。

随着CXMT筹备IPO,公司预计将继续向更高端DRAM制程推进。

NAND价格具备溢价能力

NAND层面也同样在追高,价格趋势已反映这一变化。
消息称,SK海力士在2026年1月对1Tb NAND晶圆报价约20美元,而长江存储在部分渠道报价21至21.5美元,显示中国供应商在特定市场已具备溢价能力。

尽管SK海力士官方价格更低,但其保守的配货策略常使买方无法拿到所需数量。长江存储虽价格略高,却能满足采购目标,供应可靠性弥补了价差。

需要注意的是,三星与SK海力士计划在今年上半年大幅上调NAND闪存价格,推动两家公司NAND业务的利润率极有可能攀升至40%–50%区间。业内普遍认为,NAND产品的盈利能力将达到近十年来最高水平,这一高度上一次出现还是在2017年存储器超级周期 期间。

尽管CXMT与长江存储正加速DRAM与NAND扩产,业内认为全面爬坡仍需时间。

分析人士表示,尽管中国存储厂商扩张迅速,规模有望逐步逼近全球龙头,但当前供给紧张具有结构性特征,短缺态势在2026至2027年难以明显缓解。

随着AI应用持续扩展,DRAM与NAND需求预计进一步上升,存储产业的长期增长将与AI普及进程紧密相连。
DRAM与NAND环比涨幅或创历史新高

TrendForce最新存储产业调查显示,2026年一季度持续强劲的AI与数据中心需求进一步加剧全球存储供需失衡,显著增强供应商的定价能力。因此,TrendForce大幅上调了1Q26 DRAM与NAND Flash的价格预测。

传统DRAM合约价的环比涨幅预期从此前的 +55%–60%上调至+90%–95%;NAND Flash合约价的环比涨幅从+33%–38% 上调至+55%–60%。

DRAM细分市场均持续大幅上扬。PC DRAM市场因库存告急,在卖方主导的市场环境下,合约价不断走高,1Q26 PC DRAM价格预计环比上涨超过100%,有望创下历史最高单季涨幅。

服务器DRAM由于买方激烈争夺,TrendForce预计服务器DRAM价格在1Q26环比上涨约90%,同样刷新历史纪录。

移动DRAM同样告急,预计LPDDR4X与LPDDR5X合约价在1Q26 环比均上涨约90%,将创下各自产品线的历史最大单季涨幅。

NAND Flash层面,尽管1Q26的订单量远超厂商产能,但存储厂商对DRAM盈利前景保持乐观,正主动将部分产线转向DRAM,进一步限制了NAND Flash的扩产空间。
在供需缺口扩大、买方积极备货的背景下,TrendForce预计1Q26企业级SSD价格将环比上涨53%–58%,同样刷新单季涨幅纪录。

TrendForce还指出,后续仍存在进一步上修的可能。

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