康宁发布Glass Bridge，重视玻璃作为终极材料的产业趋势

康宁于6月24日在韩国首尔“AI数据中心光通信互连技术大会”上发布的玻璃桥——Glass Bridge玻璃光互连技术，把对准和耦合做到玻璃内部，用半导体级工艺（离子交换）取代机械对准，TGV玻璃基板+CPO封装，玻璃基板将从"载板"升级成"光互连载板"，玻璃作为【终极材料】的产业趋势越发明显。

近期行业催化【消息密度】明显提升即是证明；台积电近期向供应链发布“CoWoS玻璃基板开发计划”，三星电机与住友化学成立玻璃基板合资企业，多家巨头积极介入，客观上也会极大的加速产业进展。

相较有机基板，玻璃基板的变化主要有：

1）高深宽比打孔。有机载板的深宽比要求不高，一般采用机械钻孔。玻璃基板要做到高深宽比，需引入激光打孔。有机载板一般采用化学镀Cu做种子层，玻璃基板则需用PVD溅射Cu种子层。

2）RDL层数提升。台积电CoWoS-S的Si Interposer，一般用到4~6层RDL。群创的玻璃基板则采用10M10P RDL，Intel的Glass Core EMIB基板采用上下各10层RDL方案。RDL核心材料是PSPI（光敏聚酰亚胺），而每一层RDL上都需要PVD镀Cu种子层。

因此受益的设备是激光、PVD，材料是PSPI。激光市场已经有充分认知，主要更新PVD和PSPI：

PVD是玻璃基板产线价值量最高的设备，约占40%。玻璃通孔和RDL布线两道工艺均需要用到PVD溅射Cu种子层。玻璃通孔内壁种子层溅射难度更高，PVD价值量4000~5000万/台；RDL上的种子层PVD设备价值量2000~3000万/台。且通孔深宽比越大、RDL层数越多，PVD设备价值量越高。

PSPI是HBM、CoWoS工艺的核心材料，在玻璃基板中用量直接与RDL层数直接挂钩。25年全球PSPI市场规模预计在40~50亿元，未来五年CAGR预计在30%以上，远期市场空间有望达200亿。PSPI供应基本被日美供应商垄断。5月旭化成宣布收紧其PIMEL系列PSP供应，优先保障台积电等大客户供应，从而削减其他厂商订单。因此PSPI国产替代有望加速。

重视玻璃封装基板&CPO玻璃桥/玻璃基板大β

玻璃基封装载板趋势明确！

台积电CoPoS采用310*310mm玻璃临时载板，预计28年底实现量产，二代CoPoS有望引入玻璃芯载板。

SK预计26年底实现商业化量产；三星预计27H2实现量产；Intel年初已展出玻璃芯EMIB方案样品，预计28-30年量产。

玻璃桥替代FAU优化耦合工艺&插损，国内厂商有望参与冷加工&波导制造

2025年9月康宁发布玻璃桥方案替代FAU实现PIC到光纤的耦合，Pitch最低40μm（远优于FAU），插损1.5dB（低于FAU），同时可通过机械&机器视觉被动对准（无需人工），有望成为推动CPO放量的重要技术方案！

国内厂商有望参与冷加工环节，亦有望切入波导制造。

CPO玻璃基板空间巨大，关注MicroLED CPO行业机会！

康宁目标整合原片&光纤能力升级为光互联方案商，长期来看整合TGV&波导&MPO接口的CPO玻璃基板是终极方案，届时国产厂商有望参与更多环节。

康宁亦积极推进MicroLED CPO方案，当前已与京东方签订备忘录合作开发，未来MicroLED有望应用于康宁CPO玻璃基板方案，行业空间有望加速向上。

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