新一周EDA动态来袭！本周产业聚焦：国内大型论坛重磅发布与新型产品亮相，海外企业并购计划及制造封装领域前沿动态。
华大九天EDA工具软件V2026.1正式注册发布，工具覆盖率已接近80%，能够支持超大规模数字集成电路设计。
这意味着国产EDA工具已经能够满足当前乃至未来主流芯片设计需求，为国内芯片设计行业注入一剂强心针。华大九天作为国内EDA领域的佼佼者，持续加大研发投入，在模拟电路设计、平板显示设计等细分领域已具备国际竞争力。
随着人工智能、5G、物联网等新兴技术快速发展，对芯片需求持续增长，EDA市场迎来广阔前景。这波国产EDA的进步，确实夯爆了！
4 月 7 日英特尔宣布加入马斯克牵头的 TeraFab 先进晶圆厂计划，与特斯拉、SpaceX、xAI 合作研发制造算力芯片，消息推动其股价当日早盘上涨超 2%。该项目目标是年产 1 太瓦算力芯片并主攻 2 纳米先进制程，英特尔将凭借其 18A 工艺提供技术支持，双方此前已有马斯克到访英特尔等合作铺垫，项目规划在得州奥斯汀建设两座芯片工厂，分别服务汽车机器人与太空 AI 数据中心。
同时 SpaceX 已秘密递交 IPO 申请拟年内上市，并计划向散户分配大量股票；而英特尔正处于业务转型关键期，芯片代工业务亏损严重，正通过裁员、资产出售优化财务，还获得英伟达与美国政府巨额注资，此次与马斯克旗下企业的合作被视为其展示代工实力、推进业务重组的重要举措。
2026 年 3 月 31 日，2026 中国 IC 领袖峰会在上海浦东圆满落幕，思尔芯（S2C）在此次行业盛会上表现亮眼，不仅再度斩获 “年度创新 EDA 公司” 大奖。
其副总裁陈英仁还发表主题演讲，针对 AI、自动驾驶等领域带来的芯片复杂度攀升挑战，提出构建开放生态、坚持设计左移的解决方案，并展示了与 Andes 晶心科技、玄铁处理器、香山 “昆明湖” 等头部伙伴的深度合作成果，充分诠释了 “技术赋能产业，生态链接价值” 的大会主旨，彰显了其在数字前端 EDA 领域的技术创新实力与行业影响力，未来将持续携手生态伙伴，共同应对芯片设计新变局。
英飞凌与西安为光能源达成深度合作，依托英飞凌 1200V IGBT7 与新一代 CoolSiC™ MOSFET G2 碳化硅器件，共同研发更高性能的通用固态变压器（SST），并计划将碳化硅模块拓展至数据中心 SST 领域，抢占市场战略机遇。
为光能源在 SST 中采用相关器件与混合三电平拓扑，效率可达 98.5%，同时实现体积缩减与可靠性提升；英飞凌的碳化硅产品凭借优异散热与器件一致性，为 SST 提供可靠支撑。双方将持续深化合作，在储能、充电桩及数据中心等场景拓展应用，助力能源转型与高效能源方案落地。
三星即将推出的 BM9K1 旗舰 QLC 固态硬盘将首次搭载基于 RISC-V 架构的自研控制器，采用 PCIe 5.0 接口，顺序读取速度最高达 11.4GB/s，能效比提升 23%，主打个人 AI 计算场景，计划 2027 年上市。
三星弃用 Arm 改用开源 RISC-V，主要为降低授权成本、提升设计自由度，以便针对 AI 负载与 QLC 闪存深度定制，且 SSD 控制器对软件生态依赖低，切换风险可控，此次试水若成功，RISC-V 有望进一步应用于三星服务器 SSD 乃至移动处理器。
传统计算机架构基于冯·诺依曼体系，计算单元（CPU/GPU）与存储单元（内存）物理分离。这种架构在70年前是天才设计，但在AI时代却成为性能瓶颈——"内存墙"。
AI大模型训练和推理需要海量数据在计算单元和内存之间频繁搬运，数据搬运消耗的时间和能量远超计算本身。据统计，在典型AI推理任务中，超过60%的能量消耗在数据搬运上，而非实际计算。这就是"冯·诺依曼瓶颈"。
存算一体（Compute-in-Memory, CIM）架构的核心思想是：让存储器具备计算能力，数据在哪里，计算就在哪里，从根本上消除数据搬运。
存算一体技术主要分为三大路线：
近存计算
将计算单元紧邻存储器放置，缩短数据传输距离。HBM4计划在基底芯片集成近存计算处理器，实现"存算协同"。
存内计算
利用存储器本身的电路结构完成计算。SRAM-CIM、RRAM-CIM等技术路线正在快速发展。
存内逻辑
在存储器内部集成完整计算逻辑单元，实现更复杂的运算。
根据QYResearch预测，2025年全球存算一体AI芯片市场销售额达2.31亿美元，预计2032年飙升至443.3亿美元，年复合增长率超过80%。
国内企业正在这一赛道加速布局：知存科技专注SRAM存算一体，后摩智能基于RRAM介质面向数据中心大算力场景，闪存科技采用存算一体架构专注AI推理加速。
存算一体芯片的优势在于能效比——在相同能耗下完成更多计算任务，或完成相同任务能耗仅为传统架构的1/10。这对功耗敏感的边缘AI场景（智能安防、自动驾驶、可穿戴设备）尤其重要。
存算一体技术仍面临挑战：工艺成熟度、通用性、软件生态、精度问题等。展望未来，存算一体芯片有望在边缘AI场景率先实现规模化落地，逐步向数据中心渗透。
对中国芯片产业而言，存算一体是新赛道，国内外技术差距相对较小，是助我破鼎的战略方向。国产企业若能抓住这一窗口期，有望在AI算力芯片领域实现弯道超车！
受 AI 芯片需求爆发与全球供应链本地化驱动，2026-2029 年全球 300mm 晶圆厂设备支出将持续增长。
4月7日，2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)在上海浦东丽思卡尔顿酒店重磅启幕。
本届大会以"以韧为刃·向高而跃"为主题，打造集技术交流、产业对接、战略对话、成果展示于一体的国际化集成电路产业平台，汇聚逾500家企业。
同期举办的中国IC领袖峰会，邀请产业领袖共同探寻地缘变局下中国IC产业的可持续增长路径。为期两天的大会圆满落幕，不少参会者表示收获满满，对国产IC产业的未来充满信心。
国家信息光电子创新中心等机构联合研发出国内多功能可编程光电融合门阵列系统 LightIN，该系统以 SOI 工艺硅基集成光子芯片为核心，搭配自研智能配置框架，可一站式完成光子计算加速、信号处理、网络交换与安全加密等任务。
LightIN 在矩阵计算、AI 推理、光通信传输和数据中心互联等场景均实现优异性能指标，还能通过 “光子指纹” 提供硬件级安全加密，验证了单芯片多功能集成的可行性，为大规模光子集成电路与光电融合 AI 集群发展打下重要基础。
国防科技大学与中科院金属研究所联合团队在二维半导体领域取得关键突破，相关成果发表于《国家科学评论》，为我国后摩尔时代自主可控芯片技术提供了重要支撑。当前二维半导体普遍存在 N 型与 P 型材料性能失衡的难题，严重限制了其在芯片中的大规模应用。
研究团队创新采用液态金 / 钨双金属薄膜衬底工艺，成功实现晶圆级单层 WSi₂N₄薄膜的可控生长，材料单晶尺寸与生长速率大幅提升，该材料空穴迁移率高、稳定性好，在晶体管应用中表现突出，为二维半导体用于 CMOS 集成电路开辟了新方向。
晶体管是芯片的基本单元，其结构演进决定了芯片性能上限。过去20年，FinFET（鳍式场效应晶体管）是主流架构，支撑了从28nm到3nm的技术进步。
但在3nm以下，FinFET遇到物理极限：鳍片太薄会导致漏电剧增，栅极对沟道的控制能力下降。简单说，FinFET"压不住"更小的晶体管了。
GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）晶体管应运而生。它的核心创新是：栅极从四个方向完全包裹住导电沟道，而非FinFET的三面包裹。这就像从"三面夹击"升级为"四面合围"，对电流的控制能力大幅提升。
GAA晶体管采用"纳米片"或"纳米线"结构：纳米片堆叠、全环绕栅极、独立调控。相比FinFET，漏电率降低50%以上，性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶体管密度提升15%-20%。
GAA是2nm制程的核心技术，全球三大晶圆厂展开激烈竞争：台积电稳扎稳打2026年下半年量产；三星激进先锋率先量产GAA；英特尔背水一战18A制程反击。
GAA技术对中国半导体产业是把"双刃剑"：挑战在于技术门槛极高，机遇在于GAA导入需要全新EDA工具、设备、材料供应链，为国产替代提供新机会。
GAA只是开始，未来还有CFET、Forksheet、2D材料晶体管等更激进结构。摩尔定律没有死，它只是换了一种方式延续。GAA晶体管，正是摩尔定律的"续命神器"！
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