1月6日消息，据路透社报道，三星电子第四季度营业利润预计大幅暴涨160％。而美光科技上月公布的盈利指引，也是华尔街预期的2倍。
最新供应链消息显示，三星与SK海力士已正式向服务器、PC以及智能手机用DRAM客户提出新一轮涨价方案，2026年第一季度报价较上一季度直接上调60%到70%。
一位半导体行业人士直言，客户其实心里也很清楚，短期内头部厂商几乎不可能快速释放新增产能，因此即便涨幅如此激进，市场大概率仍会被迫接受。
那这种趋势是怎么造成的呢？又有什么方法可以解决呢？下面芯片大师就将和大家详细聊一聊。
图源：经济日报
TrendForce的统计显示，2025年第四季度某型号DDR5 DRAM的价格同比暴涨314%，而进入2026年第一季度，一般型DRAM合约价仍预计环比上涨55%到60%，消费级NAND闪存合约价继续上行，涨幅在33%到38%之间。
三星电子联席CEO卢泰文公开表示：“当前全球内存芯片短缺的严重程度前所未有，几乎没有任何企业能够幸免，其影响范围早已从手机扩散到电视、家电等各类消费电子。”
蔚来创始人、董事长兼CEO李斌在采访中直言，内存涨价正在给汽车行业带来巨大冲击，本质上是在与AI、算力中心和手机厂商抢资源，并半开玩笑地提醒消费者“买车要早一点”。
研究机构Counterpoint Research同样指出，DRAM短缺预计将使智能手机物料成本上升约25%，并可能对整体出货量形成压制。
图源：TrendForce
那么，问题到底出在哪里？答案几乎都指向同一个关键词——AI。
随着AI训练和推理需求爆发式增长，HBM、GDDR等高端存储的需求被迅速拉高，而这类产品的单价，远远高于传统DRAM和NAND。
以HBM为例，SK海力士向英伟达供应的一颗24GB HBM3E堆栈，价格约370美元，一张高端AI显卡通常需要六颗，而下一代HBM4的单颗价格甚至被预期将突破500美元。
在如此巨大的利润差距面前，原厂自然会优先将先进制程、设备与工程资源集中投向HBM生产，传统存储被压缩，甚至直接退出产线，也就成了理性选择。
更现实的问题是，HBM的产能本身已经全面售罄。此前三星、SK海力士和美光三大巨头均公开表示，当前HBM产能已被客户锁死，资源正高度集中于HBM3E等产品。
同时，谷歌、微软持续扩展AI推理服务，推高服务器通用DRAM需求；而为客户定制AI ASIC的博通，也在不断追加HBM订单，多种因素叠加，使得原本就紧张的DRAM供需关系进一步恶化。
图源：快科技
即便厂商有意扩产，现实条件也没有办法立竿见影。
DRAM扩产意味着新产线、新厂房和大量关键设备的到位，而当前产线本身已经高度向HBM倾斜，新建产能从决策到量产往往需要数年时间。这种时间差，直接导致供给端始终追不上需求增长，缺口只能越拉越大。
与此同时，行业集中度进一步放大了问题的影响。
在DRAM市场，三星、SK海力士和美光三家合计占据约90%的份额，此前关于DDR4逐步停产的消息一度引发市场震动。
当头部厂商共同进退，供给的收缩也会被成倍放大。
近期有消息称，苹果与三星电子、SK海力士的DRAM长期供货协议即将到期，苹果高管甚至长期驻扎韩国，与原厂展开拉锯式谈判，试图锁定未来两到三年的稳定供应，侧面也反映出市场对内存资源的焦虑程度。
图源：三星
从长期来看，要真正缓解当前的供给风险，就是增加新的、具备规模和技术能力的有效供给来源。
在NAND闪存领域，市场份额主要集中在少数厂商手中：三星约32%，SK海力士约20%，美光约13%，闪迪约12%，铠侠约14%，而国产厂商长江存储目前占比约5%。
DRAM市场的集中度则更为极端，SK海力士、三星和美光三家合计占据了接近90%的全球份额，其中SK海力士约38%，三星约32%，美光约23%；国产厂商长鑫存储约5%，南亚科技仅约1%。。
如果长江存储和长鑫存储能够在制程、良率和产品稳定性上持续突破，并逐步放大产能规模，那么它们所提供的不仅是新增供给，更是对高度集中市场的一种稳定器。
