（1）工艺：例如采用台积电 3nm 工艺，晶圆尺寸 300mm，技术细节包括 MG、DGO、HKMG 等，以及 1 层 Poly、16 层 Cu 布线、1 层 Al 顶层。（6）封装地点，供应商，产量规模，封装类型，晶圆级配置，键合焊盘（1）在线设备：ALD（原子层沉积）、CMP（化学机械抛光） 、CVD（化学气相沉积）、Dry etch（干法刻蚀） 、Lithography（光刻）（2）耗材：Lithography materials（光刻材料）、CVD precursors（CVD 前驱体）、Wet clean chemicals（湿法清洗化学品）
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