(1)工艺:例如采用台积电 3nm 工艺,晶圆尺寸 300mm,技术细节包括 MG、DGO、HKMG 等,以及 1 层 Poly、16 层 Cu 布线、1 层 Al 顶层。(6)封装地点,供应商,产量规模,封装类型,晶圆级配置,键合焊盘(1)在线设备:ALD(原子层沉积)、CMP(化学机械抛光) 、CVD(化学气相沉积)、Dry etch(干法刻蚀) 、Lithography(光刻)(2)耗材:Lithography materials(光刻材料)、CVD precursors(CVD 前驱体)、Wet clean chemicals(湿法清洗化学品)
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