近日，英特尔对外展示了其在玻璃基板技术上的实质性突破，有力回应了此前市场上关于其已退出该领域研发的传言。在今年的日本NEPCON电子制造展上，英特尔代工首次公开展示了结合其嵌入式多芯片互连桥（EMIB）技术的“厚芯”玻璃基板解决方案，该技术主要瞄准数据中心等高性能计算场景。
玻璃基板与EMIB的结合，正成为推动AI架构性能扩展的关键路径。得益于玻璃材料优异的物理特性，该方案能够支持更精密的电路互连、更优越的景深控制能力，同时有效降低封装过程中的机械应力，为高复杂度、高集成度芯片提供理想的封装平台。
从披露的技术细节来看，英特尔此次开发的厚芯玻璃基板整体封装尺寸达到78×77毫米。其最大亮点在于可支持相当于传统硅基板约两倍的掩模尺寸，提供约1716平方毫米的硅面积容纳能力，足以集成大规模的逻辑与存储单元。这也是业界首款采用10-2-10堆叠结构的厚玻璃芯基板，并深度融合了英特尔的EMIB多芯片互连技术。
在具体结构设计上，基板顶部布置了多达10层的重布线层，负责将芯片信号以极细间距进行扇出与走线。基板核心由两层厚度约0.8毫米的玻璃材质构成，具备良好的刚性与稳定性。基板背面同样集成10层积层，用于规整和引出芯片的密集电极，使得整个封装能够更便捷地与常规主板或印制电路板对接。
值得关注的是，英特尔在玻璃基板内部嵌入了两枚EMIB桥接芯片，通过其在多个小尺寸芯片之间建立高速互连通道，从而实现多芯片模块的高性能整合。
此外，英特尔在测试过程中未发现被称为“硒瓦雷”的微裂纹问题。这类因玻璃脆性而在切割、加工过程中容易产生的微观缺陷，常常影响基板的可靠性与良率。本次厚芯玻璃基板在制造中成功避免该问题，意味着其已具备服务服务器级高强度工作负载的潜力，未来可广泛应用于AI加速芯片等高端领域。
来源：电子半导体观察
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