6月存储行情分析

市场误读英伟达Vera Rubin DRAM用量减半，错杀即是机会，存储依然维持超高景气度！

👉昨天SemiAnalysis提到Vera CPU侧改用96GB替代192GB模块，单机架SOCAMM DRAM总容量从55TB降至28TB。

👉我们认为1）GPU核心HBM4维持单柜20.7TB不变，算力需求基本盘不变；2）SOCAMM是插槽式模块化设计，降低容量或是服务器初期的灵活选配，有利于降低整体拥有成本和将功耗与散热让渡给GPU，是高性价比方案，后续仍具备扩容空间；3）降配可省下预算，转向企业级SSD，NAND产业链反而受益。

存储合约价Q2延续强势上涨态势，Q3涨价有望超预期！

1）一般型DRAM：合约价 26Q1+93%~+98%，预期Q2 +58%~+63%。

2）NAND：合约价 26Q1+85%~+90%，预期Q2 +70%~+75%。

👉预期Q3存储涨价继续超预期，存储公司有望进一步增厚利润，当前估值仍为最低方向，持续看好：目前市场供应仍紧缺，伯恩斯坦上修Q3 DRAM、NAND合约价环比涨幅至+60%。

长鑫加速上市，有望点燃存储板块情绪！

5月27日长鑫科创板IPO获上交所上市委会议通过，公司审核状态变为提交注册，上市临近，有望持续带动存储板块情绪！

建议关注：

1）设计类：兆易创新、国科微、北京君正、普冉股份、联芸科技、澜起科技、聚辰股份、东芯股份、恒烁股份等；

2）存储模组：江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创等；

3）长鑫长存第一大分销商：中电港

4）其他：深科技、长电科技等。

风险提示：需求不及预期等。