本周集成电路、EDA 与半导体赛道的公开信息，核心围绕新型技术，未来行业预测，行业发展等主线展开。
2026年6月18日，SK海力士官宣，已向核心客户供应12层堆叠的下一代AI专用高性能DRAM存储器HBM4E样品，并将联动客户推进研发适配，保障产品后续顺利量产。
相较于上一代HBM4，HBM4E实现性能与能效双重大幅升级。产品引脚最高速率可达16Gbps，能效提升20%以上，同时通过接口与设计优化降低数据传输延迟，大幅强化AI训练、推理的数据处理能力，可有效提升下一代AI数据中心与大型计算系统的运行效率。
工艺层面，HBM4E采用先进MR-MUF底部填充技术，12层堆叠架构可实现48GB存储容量，相较HBM4热阻降低17%，芯片结构稳定性与高性能工况适配性显著提升，解决了高端算力场景的散热、稳定运行难题。
依托历代HBM产品的成熟量产经验与市场口碑，SK海力士将持续迭代AI存储解决方案，携手客户突破AI系统性能瓶颈，助力下一代算力基础设施搭建，进一步巩固其AI存储器领域的行业领先地位。
6月16日，英伟达发布博文，宣布其战略投资的Coherent在美国得州Sherman为扩建工厂奠基，聚焦6英寸磷化铟（InP）晶圆与光互连产能，支撑AI数据在机架间以光速传输。
Coherent同步宣布获得5000万美元CHIPS法案补贴，用于支持该设施建设。
今年3月，英伟达向Coherent投资20亿美元，并签署长期采购与产能合作协议，此次动工是双方合作的首个实质性落地节点。
Coherent的业务涵盖数据中心高速光连接、工业激光和上游关键材料三大板块，数据中心与通信业务为核心驱动力。此次扩建是基于2025年8月投产的晶圆厂，该工厂是全球首个实现量产的6英寸磷化铟晶圆厂。
6月16日，Amkor（安靠）宣布与台积电 (TSMC) 达成一份10年长期合作协议，提升美国亚利桑那州的先进半导体封装能力。
这一协议为台积电从Amkor采购先进封装和测试服务建立了合作框架。
通过此次合作，安靠科技位于亚利桑那州的先进半导体封装产能将进一步提升，帮助终端客户更快将产品推向市场。双方还表示，此次合作有望打造更具整合性和韧性的半导体供应链，使广泛终端市场的客户受益。
紫光国微披露并购草案，拟以发行股份加现金方式收购 14 家交易对方所持瑞能半导体 100% 股权，交易总对价 19 亿元，同时募资不超 3.96 亿元配套资金，仅用于本次并购相关支出。支付方案：80% 对价（15.2 亿元）以股份支付，发行价 61.75 元 / 股，发行约 2461.54 万股；剩余 20%（3.8 亿元）现金支付。标的瑞能半导体为全产业链一体化功率半导体企业，主营晶闸管、功率二极管、碳化硅器件，布局 SiC MOSFET、IGBT 等高端产品，应用覆盖消费、工业、新能源、汽车电子等赛道。
近日，从中核集团获悉，我国科学家在稳定同位素富集领域取得关键性突破，中核集团核工业理化工程研究院首次成功实现丰度超过99.99%的硅-28同位素自主量产，产品关键指标达国际先进水平。
据介绍，除量子计算外，超高丰度硅-28在先进制程半导体、高端导航、计量基准等前沿领域也有重要应用前景。
据悉，中核集团核工业理化工程研究院团队此前已先后实现钼、碲、镍等12种元素、26种稳定同位素的生产，持续推动稳定同位素分离技术的工程化与产业化。
三星全球首款 42nm 栅距 3D 堆叠逻辑晶体管
2026 年 VLSI 研讨会（6.14-6.18），三星发布三层纳米片沟道 3D 堆叠 FET 论文，从千余篇投稿中以最高分 8.29 拿下最佳论文，入选年度技术亮点，实现逻辑芯片 3D 晶体管业界首创。
发展历程：平面 FET→FinFET→GAA 环栅，三代二维架构逼近物理极限，缩小栅距易漏电、密度受限；
创新思路：借鉴 V-NAND、HBM 垂直集成思路，将平面并排的 N/P 管改为上下垂直堆叠，突破二维面积约束。
42nm 栅极间距，打破此前 48nm 行业纪录，单位面积可容纳更多晶体管；
上下 N/P 管均采用三层纳米片沟道（3/3 堆叠），缩小尺寸同时保障电流驱动能力；
MDI 介质隔离层，隔绝上下器件漏电干扰，适配垂直栅极工艺；
RBC 直连垂直通孔，替代传统绕接布线，简化垂直互联。
电流驱动：三层纳米片沟道设计，保证载流导通能力；
沟道均匀度：优化外延生长工艺，减少多层结构缺陷，器件性能一致性更高；
层间电气隔离：定制 MDI 隔离层，精准控制厚度规避耦合干扰、适配光刻刻蚀。
n 型、p 型晶体管亚阈值摆幅仅 75mV/dec、73mV/dec，开关比超 10⁷，漏电控制优秀；整片晶圆器件电学特性均匀，适配大规模量产。
适用场景：下一代 AI、高性能计算 HPC 逻辑芯片；
性能优势：同等面积晶体管数量翻倍，功耗、性能最高提升 2 倍，远超传统节点 15% 左右迭代增益；
技术定位：非替代现有 GAA，是 GAA 架构向三维的进阶升级方案。
近日，江苏大学与龙芯中科联手推出全国首款基于龙架构的农业专用SoC芯片——“农芯一号”。
“农芯一号”具备耐高温、耐腐蚀、抗震抗冲击等性能，凭借多接口适配、高效数据处理、稳定运行等核心优势，可适配精准农业、智慧温室、智能农机等各类场景，有效破解智慧农业芯片依赖进口、环境适应性差及接口不匹配等行业痛点，保障农机在高强度、高环境要求下的稳定运行。
农芯一号”是龙芯“百芯计划”的实践成果。项目实施过程中，龙芯中科向江苏大学免费开放核心IP资源，并为芯片设计、芯片制造、封装测试等全流程提供专业技术指导。
未来双方将持续深化合作，依托实验教学、学科竞赛、毕业设计、科研项目等多种形式，支持江苏大学学生开展龙架构相关技术研发与应用探索。
工信部印发 2026-2028 年《“人工智能 + 信息通信” 创新发展实施意见》：
攻关高端光电器件：研发高速光电、交换、光电共封装芯片，攻关智算超节点光电互联，开展光电混合组网、智算网络验证；
完善算力网络底座：建设 400G/800G 骨干网，优化东西部算力枢纽通道，推广城域 400G 及以上高速光传输设备；
发展目标：2030 年前实现信通与 AI 融合核心技术重大突破，建成完整产业生态，实现智能化普惠发展。
6 月 16 日力积电公告，自 5 月 22 日起向泛林集团采购晶圆制造设备，交易总额 10.3652 亿新台币（约 2.22 亿元人民币），公告未披露设备型号、单价及交付周期。
泛林主营刻蚀、沉积等晶圆前道核心设备，成熟制程设备市占突出。
力积电 6 月 9 日刚完成海外存托凭证发行，募资 8.86 亿美元，资金用于设备采购、工艺升级、扩产及 AI 特色代工布局，本次采购是扩产计划落地举措。
公司主营成熟制程与特色工艺，代工功率芯片、AI 配套芯片等；当下 AI、电源管理芯片需求旺盛，公司持续添设备扩产以承接订单。泛林是全球多家晶圆厂长期设备供应商。
Intel 18A工艺已实现量产，应用于酷睿Ultra 3代、至强6+处理器，目前处于持续产能爬坡、良率稳步提升阶段，核心依托两大尖端技术：
1、四代RibbonFET（GAA环绕栅极）：采用4层纳米片沟道（行业主流为3层），驱动电流更强，适配高性能计算场景；提供180CH高性能库、160CH高密度库，搭配8档阈值电压（Vt）可选，设计灵活性高。
2、PowerVia背面供电：将电源线迁移至晶圆背面，大幅优化布线、降低信号干扰，晶体管密度提升8%-10%，线路压降改善最高10倍，正面金属层电阻降低12%，同时简化EUV光刻工艺，降低制程复杂度。
整体性能相较Intel 3工艺：性能功耗比提升超15%、单位功耗降低超25%、器件密度提升30%。Intel强调，18A工艺主打高性能计算，核心优势对标竞品移动向2nm工艺。
新增多规格器件，覆盖全场景需求
丰富器件尺寸选型，兼顾低功耗与高性能：低功耗端新增180CH的W1器件、160CH的W1.5器件；高性能端新增搭载双接触（Dual Contact）技术的W3P器件，依托前后双面导电通道，不增加芯片面积的前提下降低接触电阻、提升电流驱动能力，是HPC场景核心亮点。
优化阈值电压，细化设计精度
在原有4组Vt配对基础上，新增第5种中间档位逻辑Vt对（ULVTLL超低漏电规格），可精细化调节芯片速度与漏电平衡，大幅提升芯片设计灵活度。
严控工艺偏差，提升量产一致性
工艺偏差角（skew corner）收紧33%，有效降低晶体管阈值电压波动，减少芯片设计冗余余量，进一步释放工艺性能上限，适配大规模量产需求。
散热能力大幅升级，适配高负载场景
通过更换新材料、减薄热载体晶圆，实现热阻降低20%-40%，芯片热点温度更低、散热效率更高；同时搭配热感知EDA工具，智能优化互连与通孔布局，快速导出芯片热量，解决高负载算力芯片的散热痛点。此外，关键路径通孔电阻降低10%-30%。
在0.55V-0.95V全工作电压区间实现全面升级，适配高低功耗各类场景：
1、同功耗条件下，逻辑模块性能提升9%；
2、同性能条件下，功耗最高降低18%；
3、全系器件载流子迁移率优化，新增W3P器件性能提升无面积损耗，性价比优势显著。
1、当前进度：18A-P已进入风险试产阶段，工艺状态成熟，即将开启量产爬坡；
2、后续披露：Intel将在2026 VLSI研讨会公开更多GAA、背面供电、压降优化等细节技术论文；
3、前沿布局：同步研发CFET单元折叠、硅基集成GaN功率器件、钌互连等下一代半导体技术。
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