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2026 存储行业深度展望:复苏已确认,结构性机会正在加速

  • 2026-08-27 08:22:36
2026 存储行业深度展望:复苏已确认,结构性机会正在加速
进入 2025 下半年,全球存储行业终于迎来了久违的强劲复苏。
三星电子与 SK 海力士在 2025 年第四季度交出的业绩,几乎可以用“爆发”来形容:利润超预期、价格持续上行、供需格局空前紧张。更重要的是,在 AI 驱动之下,存储行业正在发生一系列结构性的变化——从产品形态、资本开支,到商业模式本身。
本文将系统梳理:
2026 年存储行业到底发生了什么?核心机会在哪里?风险又在何处?

01 三星 & SK 海力士业绩爆发,行业复苏已被“确认”

先看最直观的数据。
2025 年第四季度,三星电子存储业务实现约 17 万亿韩元的营业利润,同比增长超过250%,ASP(平均售价)涨幅超过40%,远超市场此前的保守预期。
SK 海力士的表现同样强劲:
营收30.7 万亿韩元
营业利润17.1 万亿韩元
营业利润率接近56%
这轮业绩的核心驱动非常清晰——HBM 与高密度 DDR5。
但真正支撑这一轮高景气的,并不只是产品升级,而是一个更底层的事实:
全球存储市场的供需已经极度紧张。
目前:
DRAM 全球库存仅2–3 周
NAND 库存也只有3–4 周
均处于历史极低水平。业内普遍判断,这种紧平衡状态至少将持续到 2026 年上半年,存储厂商在价格谈判中重新掌握主动权。
与此同时,需求端并不弱。
除了持续增长的服务器需求,手机、PC 等消费电子也有望在 2026 年第二季度启动新一轮补库存,为行业景气提供进一步支撑。

02 价格趋势明确:上涨不是“情绪”,而是“结构”

价格,是投资者最关心的问题。
从当前产业链反馈来看,2026 年存储价格上行趋势高度确定。
DRAM:
2026 年 Q1 预计涨幅~30%
Q2 仍有高个位数增长
核心逻辑只有一个:低库存 + 服务器需求持续强劲。
NAND:
表现甚至强于此前市场预期。
Q1 涨幅预计≥20%(此前市场仅预期 10%)
Q2 仍有高个位数增长
更重要的是,下半年即便增速放缓,也大概率维持中高个位数的正增长,且NAND 的确定性反而更高。

03 AI SSD + PSLC,正在重塑 NAND 的供需逻辑

一个被很多人低估、但极其关键的变量,是AI SSD。
在 CES 2026 上,英伟达正式发布 Rubin 平台,大幅抬高了市场对 AI SSD 的需求预期。这类 SSD 大量采用PSLC(Pseudo SLC)模式,以换取更高的速度与耐久性。
但代价是什么?
👉有效存储容量下降约 2/3。
这意味着:
为了提供同样的“可用容量”,厂商需要投入3–4 倍的物理晶圆。
在 NAND 库存本就只有 3–4 周、且过去 4–5 年三星与 SK 海力士持续压缩 NAND 资本开支的背景下,这一变化本质上是在制造新的结构性供给约束。
而更值得注意的是:
2026 年,两大厂并没有计划显著增加 NAND 投资。
如果 AI SSD 需求放量,NAND 价格上涨很可能超出当前市场预期。

04 资本开支方向非常一致:DRAM > HBM >>> NAND

从资本开支结构来看,两大韩厂的策略高度一致:
SK 海力士
2025 年存储资本开支约28 万亿韩元
85–90% 投向 DRAM
HBM 投资约2 万亿韩元(因担心 2027 过剩而阶段性放缓)
2026 年总 CapEx 将超过35 万亿韩元
DRAM 占比仍接近90%
HBM 投资回升至2.5 万亿韩元
三星电子
2025 年 CapEx33 万亿韩元
NAND 投入甚至低于 SK 海力士
2026 年 CapEx 将超过40 万亿韩元
增量主要来自DRAM + HBM
NAND 投资比例维持在~10%
一句话总结:
利润最高的 DRAM 和 HBM 才是资本真正流向的地方,NAND 被系统性“冷处理”。

05 新一代 SSD(HBF)竞赛,三星明显领先

在新一代 SSD(业内常称 HBF)的研发上,三星与 SK 海力士已进入正面竞争。
三星:计划在2026 年 Q4推出支持 PSLC 的新 SSD 样品
SK 海力士:预计2027 年 Q1才能完成送样,明显处于追赶阶段
其他厂商(美光、铠侠、台厂)整体仍在第二梯队。
目前客户对 HBF 的反馈非常积极,这不仅利好存储厂商本身,也将带动测试设备、封装、验证等上游环节的需求提升。

06 比产品更重要的变化:存储行业的“商业模式转型”

一个更长期、但可能更深远的变化正在发生——
存储厂商正从“卖元件”,走向“做解决方案”。
三星与 SK 海力士正在探索类似晶圆代工的合作模式:
与客户共同定义规格
分摊研发成本
更深度绑定需求
其中SK 海力士推进最为积极,计划在 2026 下半年或 2027 年公布更具体的合作案例。
背后的原因也很现实:
除了 HBM 与服务器,存储行业的其他细分市场增长已经明显放缓,通过新模式提升确定性与回报率,正在成为必选项。

07 中国厂商:短期扰动有限,长期影响不可忽视

关于中国存储厂商,市场关注度一直很高。
DRAM
长鑫存储(CXMT)预计 2026 年上半年上市
主要影响低端 DRAM
高端 DDR5 / 高密度 DRAM 仍由三星、SK 海力士主导
NAND
中国厂商市占率约10%
定价仍高度跟随海外龙头
短期内难以改变全球定价权格局
但从中长期看,随着技术进步,中国厂商的影响力仍值得持续跟踪。

结语:2026,是“确认复苏 + 结构再定价”的一年

综合来看,2026 年的存储行业可以用三句话概括:
复苏已确认:价格、利润、库存全面验证
技术在加速:HBM、AI SSD、PSLC 正在重塑供需
格局在微调:资本更集中,商业模式开始进化
接下来,值得重点跟踪的三大指标是:
1️⃣ 全球库存变化
2️⃣ 厂商资本开支节奏
3️⃣ 新技术(HBM / AI SSD)的落地速度
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