摩根斯坦利:涨幅或达五成!存储价格Q1继续涨

据摩根士丹利研究报告指出，传统存储芯片供需缺口正持续扩大，2025 年二季度至 2026 年行业将迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash 及 SLC/MLC NAND 等产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。

报告指出，先进制程存储产品（如 DDR5、HBM）产能需求强劲，挤压了成熟制程产能分配。2026 年 1 月，头部企业对 DDR4 采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达 50%，涨势将延续至二季度；而产能向 DDR4 转移，也导致高密度 DDR3 严重短缺，带动相关供应商业绩增长。

闪存芯片领域，NOR Flash 一季度报价预计上涨 20%-30%，涨价趋势或延续至 2026 年下半年；常规 NAND Flash 供应大幅缩减，MLC 与 SLC NAND 一季度价格涨幅将超 50%，高密度 SLC NAND 价格涨势也将在同期跟进。

此外，部分成熟制程存储供应商正加速转型，抢抓 HBM 与先进封装技术的发展红利。例如力积电 P5 晶圆厂凭借充足的 WoW（晶圆堆叠）和混合键合产能，将在 HBM4e 标准中发挥关键作用；爱普（AP Memory）则有望依托美国客户对 CoWoS-S 技术的需求，推动硅电容（IPD）业务在 2026 年实现强劲增长等。