DRAM 是一个由“资本开支惯性 + 供需错配 + 高度同质化产品”共同决定的强周期行业,而这个组合决定了它天然会在 3–5 年尺度上反复大起大落,几乎无法被彻底消除。
一、第一性原理:为什么 DRAM 天生有“强周期”?
从最底层看,DRAM 行业同时具备 四个“周期放大器”,这在半导体里非常罕见。
1、超高资本密集度:供给端“刹不住车”
先进 DRAM 产线投资规模:百亿美元级
建厂 + 量产爬坡周期:2–3 年
一旦投了钱,停不下来
结果
上行期:厂商看到高利润 → 集体扩产
但当新增产能真正释放时,需求往往已经变了
供给具有“时间惯性”,这是周期的根源之一。
2、产品高度同质化:价格成为唯一调节器
DRAM 的残酷现实
不同厂商的 DDR4 / DDR5 功能几乎一样
客户可快速切换供应商
没有足够强的品牌溢价
结果
需求小幅波动 → 价格大幅波动
行业调节手段几乎只剩下:降价/涨价
价格成为“情绪放大器”,周期被进一步放大。
3、下游需求集中且同步波动
DRAM 最大需求来自:
这些市场的特点是:
当下游“踩刹车”时,是一起踩;踩油门时,也是一起踩。
4\库存既是“缓冲器”,也是“炸药桶”
DRAM 库存的双重属性
上行期:库存被快速消化 → 价格加速上涨
下行期:库存压顶 → 价格断崖式下跌
关键点
DRAM 可以存(不像逻辑芯片那样完全定制)
所以 库存会在行业里层层传导
一旦进入去库存阶段,下行周期具有自我强化效应。
二、为什么是“三五年”,而不是一年一次?
这是分析师最关键的问题之一。
1、资本开支到有效供给的时间尺度:2–3 年
决策 → 建厂 → 装机 → 量产 → 良率爬坡
再叠加:
这决定了 供给端反应速度的下限
2、需求端的结构性节奏:2–4 年
PC / 服务器平台更新
数据中心投资周期
技术世代切换(DDR4 → DDR5)
需求变化不是月度噪声,而是结构性波段
3、两条时间轴叠加 → 形成 3–5 年周期
供给调整慢(2–3 年)
需求变化慢(2–4 年)
→ 周期自然落在 3–5 年
这是一个“物理级别”的时间常数,不是人为能轻易改变的。
三、为什么 DRAM 的周期“比别的半导体更狠”?
和逻辑芯片、模拟芯片对比,DRAM 有三点更极端。
DRAM 是最接近“大宗商品”的半导体。
四、行业自己有没有试图“熨平周期”?为什么失败?
尝试过的办法
头部厂商控产
延后 CapEx
高端产品(HBM)提升占比
行业集中度提升(Top 3)
为什么仍然无法消除?
每一家厂商都面临 “先控产就丢份额” 的囚徒困境
技术升级本身也需要持续投资
下游需求并不稳定
最多只能 “削峰填谷”,无法消灭周期。
五、哪些因素正在“改变周期形态”,但没改变周期本质?
分析师需要注意的 新变量:
1、HBM / AI
提高毛利率
拉长某些厂商的盈利周期
但体量不足以托住整个 DRAM 市场
2、行业集中度提升
3、政策/地缘因素
六、你可以用这 5 个问题判断周期位置:
行业库存是在 累积 还是 消化?
CapEx 是 超前 还是 收缩?
ASP 的变化是否 快于位需求变化?
下游是在 扩产 还是 砍单?
技术世代切换是否刚刚开始(良率低、供给受限)?
DRAM 行业的周期不是管理失误,而是其商业模式、技术特性和资本结构共同决定的“物理周期”。行业只能学会在周期中生存,而不是消灭周期。
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